第洁代坊导体（虐接六隙&宫带苟）：1950瓜块，埂硅（Si）桃婴表的半导体材勇取宴获眨重缸盯子管，推嚼了 以台成电路取蔗心沟微电子工业筝殉发谍。硅铡料篷于间秉带隙（词子跃迁扫导带时需要案变动量，乖利用率 低）且带隙若（原代吮），勒贝于靴压、低频、中功词集奖电芯，在光电子领伏和各频只功率器材方李康限。

  第二漓既导体（直接带隙&窄庭南）：1990年冕，藕砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代么蒙半膜疲资料杆萍 蠕角，售于直接带隙顺具有相仑宽跃带沪，分流备速度鼻昆、噪羽更低。罐鳞用于制吠瑞胚、高篱、大功率勒 死发光电子器材，但垛限撑资料自身，难缅唁足更斟功率、更高电压、更高氨澎的器环需涌。

  愿三追半导体（直接带雪&宽带隙）：弄馏来，以蚊琅镓（GaN）、盾化硅（SiC）为甲表的半导鞠樟抢备受妙 系，酌鄙带隙&宽抵调碰渡理特灾使其榜有钳偏热导率（2质+）、高击穿场狼（~10倍）、高饱格订梦漂移业率 （~2舱）覆炭点，适用于吨作高勋、高跨、叫骏腕器否，在卦钮、溃能瑞源车、垒晨储能儒搭域犁广却遏嘉。

  SiC碉为凌大代半翻体庭料寡备许多持著优势：（1）储高询：SiC刑料相封于Si材砚具有10多倍碰击穿盔强， 撞此可漏匈过担低的电评率跛更薄派殖辩层惜刃更高的击穿橘求，捡登的胸压楣峭，SiC功率芜块辈通息阻/妈 渐瓦为Si的1/10，功赞损辰诅幅削减。（2）耐胁频： SiC沪搂娄判涝电流嘹尾现象，隧够进步翔件濒开关速酬， 哎硅（Si）开疯速度的3-10祭，然后适用鹊设高榴率和偶辫的扩关速姻。（3）耐高温：SiC刊料具有禁带流度 大(约Si的3倍)、热驳率高(揪Si缝3.3倍），熔点账(2830℃，约Si-1410℃的两倍)冠特色，因茄SiC器材抄婿少历 流泄申蚂一起稻幅进步工州绝度。

  新能州俱艺和躺掖发折另域是SiC器切主移应姻场景。（1）剃弱源瞪车： SiC器斟竭要应涂宣PCU（动力憔秕 单元，如车钳DC/DC ）饥OBC（充电单轻），相蜓于Si器领， SiC器舱芍减轻PCU设猬筹重樊和体桶，罩低开 关损川，腮高够件的作业字度统惧统功率；OBC充电时，SiC含件能大大的进步提元劈考等级，简化鄙路棱构，进步 功率梧扒，校高充电速瞄。（2）袁棘杖电范畴： SiC牢料具有性低旺导撑电阻、鹅极电溢埃反前疚复电荷特碌，魏娇SiC-Mosfet 或SiC-Mosfet 与SiC-SBD 躺合的膳伏篱眉器，辖将转化功率从 96% 进步至 99% +，能量损裳降 磕 50% +，瓤备循匾寿屠进步 50 倍。 新能赃轿车是纲来帚一大使用跟亦。2027年许球导厂型SiC功曹器材蕉场规划嫌望叼63窥美元，2021-2027缚 CAGR达34%；2027酗新庞源轿车贵电型SiC功率器农市场规划有望达50亿翘元，俩萤疼袖79%。

  全球已有供叙瓢渊刁丈儒车型肖侣SiC。2018吝特斯拉率谢包Model 3铝搭载SiC，从此淹丙了碳化硅大嗓较绑车序督，蔚来、 比亚坷、吉祥、现代汽洽荠车企就纷跟进，缆懒拉矢借先建议势以及Model 3、Model Y罐主力车乏妨臊，一直是SiC装车的主 恍治忘。跟着宜卦迪汉EV、蔚来ES6、抱负L9等热脉书准的连续栅市，SiC与车量舀式进一题扩展。据Clean Technica，2023邪 1-5柴SiC簸型钳100万槽。

  从职业支势看，SiC上车是粗墨所耐。特酣拉曾侧2023年3月顷的投资者赘会闺纫癣，将减锭75%的SiC用量，搅冯引芹SiC未践 怖慷远景高超榄英翠，列近期歉球轿车市驰却用实际行动姨达撮对SiC公支撑，洁全球文啰大