恒迈瑞公司生产供应SiC碳化硅As-cut切割晶片，产品尺寸涵盖4英寸至8英寸，可提供导电N型和半绝缘SI型碳化硅切割晶片。
恒迈瑞公司生产供应SiC碳化硅As-cut切割晶片，产品尺寸涵盖4英寸至8英寸，可提供导电N型和半绝缘SI型碳化硅切割晶片。我们始终以优惠的价格，优质的服务，提供高品质的碳化硅切割晶片产品，除此外也供应高质量并且存在竞争力的150毫米碳化硅晶棒供设备测试用，欢迎国内外客户来电询价，了解碳化硅衬底晶片的各项详细参数。
SiC的硬度仅次于金刚石，可当作砂轮等磨具的磨料，因此对其进行机械加工主要是利用金刚石砂轮磨削、研磨和抛光，其中金刚石砂轮磨削加工的效率高，是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不仅仅具备高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削工艺流程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表面与亚表层损伤，影响加工精度。因此，深入研究SiC磨削机理与亚表面损伤对于提高SiC磨削加工效率和表面上的质量具备极其重大意义。SiC从晶锭到晶圆的工艺流程与其他半导体相同。SiC单晶锭一般在{0 0 0 1}籽晶上进行生长。晶锭一般为圆柱形，长度为20-30mm。通过x射线衍射能确定晶锭的晶体取向，如0 0 0 1，1 1 - 2 0和1 0 -1 0。然后晶锭被切割成许多晶圆，最后进行研磨、抛光和清洗。
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